| 000 | 00634nam a2200193Ia 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 008 | 231113s2022||||ag |||||||||||||| ||spa|| | ||
| 080 | _a544.6 | ||
| 100 | _aDecima, Santiago | ||
| 245 | 0 |
_aPropiedades semiconductoras de una película de óxido de titanio para su aplicación en energías alternativas : _b / _cDecima, Santiago |
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| 250 | _a1a ed. | ||
| 260 |
_aCatamarca ; _bFACEN-UNCa , _c2022 |
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| 300 |
_a47 p. ; _c29 cm. : _f |
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| 500 | _aTF a fin de obtener el Título de Licenciatura en Física. | ||
| 653 | _aAPLICACIÓN | ||
| 653 | _aENERGÍA | ||
| 653 | _aFÍSICA | ||
| 653 | _aÓXIDO DE TITANIO | ||
| 942 | _cTES | ||
| 999 |
_c17610 _d17610 |
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